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平成28年度秋季問題

問題21

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
イ 紫外線で全内容の消去ができる。
ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
イ 紫外線で全内容の消去ができる。
ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

解答：エ

＜解説＞

フラッシュメモリは、データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない(不揮発性)半導体メモリの一種である。

USBメモリやSDメモリなどに使用されている。

ア × SRAM(Static Random Access Memory)に関する説明である。
イ × EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)に関する説明である。
ウ × DRAM(Dynamic RAM)に関する説明である。
エ ○ フラッシュメモリに関する説明である。