平成20年度秋季解答

問題16

フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

ア	高速であり，キャッシュなどに用いられる。
イ	紫外線で残内容を消去できる。
ウ	周期的にデータの再書き込みが必要である。
エ	ブロック単位で電気的に消去できる。

解答：エ

＜解説＞

フラッシュメモリは、データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない(不揮発性)半導体メモリの一種である。USBメモリやSDメモリなどに使用されている。

ア	×	SRAMに関する説明である。
イ	×	EPROMに関する説明である。
ウ	×	DRAMに関する説明である。
エ	○	フラッシュメモリに関する説明である。

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問題17

4ビットの入力データに対し，1の入力数が0個又は偶数個のとき出力が1に，奇数個のとき出力が0になる回路はどれか。ここで，図中のは AND 素子， は OR 素子， は XOR 素子， は NOT 素子を表す。

解答：エ

＜解説＞

下図より、エが正解である。

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問題18

内部割込みに分類されるものはどれか。

ア	商用電源の瞬時停電などの電源異常による割込み
イ	ゼロで除算を実行したことによる割込み
ウ	入出力が完了したことによる割込み
エ	メモリパリティエラーが発生したことによる割込み

解答：イ

＜解説＞

ア	×	外部割込みに分類される。（機械チェック割込み）
イ	○	内部割込みに分類される。
ウ	×	外部割込みに分類される。（入出力割込み）
エ	×	外部割込みに分類される。（機械チェック割込み）

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問題19

キャッシュメモリのアクセス時間及びヒット率と，主記憶のアクセス時間の組合せのうち，主記憶の実効アクセス時間が最も短くなるものはどれか。

解答：エ

＜解説＞

実行アクセス時間は次の式で求めることができる。

実効アクセス時間

＝

キャッシュメモリのアクセス時間×ヒット率＋主記憶のアクセス時間×（１－ヒット率）

ア	×	実効アクセス時間	＝	10×0.6＋70×（1－0.6）
			＝	34ナノ秒
イ	×	実効アクセス時間	＝	10×0.7＋70×（1－0.7）
			＝	28ナノ秒
ウ	×	実効アクセス時間	＝	20×0.7＋50×（1－0.7）
			＝	29ナノ秒
エ	○	実効アクセス時間	＝	20×0.8＋50×（1－0.8）
			＝	26ナノ秒

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問題20

主記憶装置の高速化の技法として，主記憶を幾つかのアクセス単位に分割し，各アクセス単位をできるだけ並行動作させることによって，実効アクセス時間を短縮する方法を何というか。

ア	仮想記憶
イ	キャッシュメモリ方式
ウ	ダイレクトメモリアクセス
エ	メモリインタリーブ

解答：エ

＜解説＞

ア	×	仮想記憶は、OSによるメモリ管理の方式の一つで、メモリ領域に物理的なアドレス(番地)とは別に仮想的なアドレスを割り当てて管理する方式。
イ	×	キャッシュメモリ方式は、CPUと主記憶との速度差を補うため、両者の間に高速なメモリを配置する方式。
ウ	×	ダイレクトメモリアクセスは、主記憶と入出力装置、または両者の間に高速なメモリーを配置する方式。
エ	○	メモリインタリーブは、主記憶をメモリバンクと呼ばれるいくつかの区画に分割し，メモリバンクへの同時並列的なアクセスによりメモリアクセスを高速化する方式。

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