問題25
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
| ア | 高速に書換えができ， CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。 |
| イ | 紫外線で全内容の消去ができる。 |
| ウ | 周期的にデータの再書込みが必要である。 |
| エ | ブロック単位で電気的に消去できる。 |
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解答：エ
フラッシュメモリは、データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない(不揮発性)半導体メモリの一種である。USBメモリやSDメモリなどに使用されている。
| ア | × | SRAM(Static Random Access Memory)に関する説明である。 |
| イ | × | EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)に関する説明である。 |
| ウ | × | DRAM(Dynamic RAM)に関する説明である。 |
| エ | ○ | フラッシュメモリに関する説明である。 |