必ず受かる情報処理技術者試験

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平成30年度秋季問題

問題10

相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
イ 結晶状態と非結晶状態のちがいを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
ウ フリップフロップ経路で構成された揮発性メモリ
エ リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
イ 結晶状態と非結晶状態のちがいを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
ウ フリップフロップ経路で構成された揮発性メモリ
エ リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

解答：イ

＜解説＞

相変化とは,固体、液体,気体のそれぞれを相としてその相が変わることをいう。

相変化メモリは,カルコゲナイドを材料として電流を流して発熱させ,結晶状態と非晶質状態の間の抵抗の変化を使って記憶させる不撣発性メモ リですある

ア × PROM(Programmable ROM)の説明である。
イ 〇 相変化メモリの説明である。
ウ × SRAM(Static RAM)の説明である。
エ × DRAM(Dynamic RAM)の説明である。