必ず受かる情報処理技術者試験

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平成30年度春季問題

問題10

NAND型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア バイト単位で書込み、ページ単位で読み出しを行う。
イ バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ウ ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
エ ページ単位で書込み及び読出しを行う。

NAND型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア バイト単位で書込み、ページ単位で読み出しを行う。
イ バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ウ ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
エ ページ単位で書込み及び読出しを行う。

解答：エ

＜解説＞

フラッシュメモリは不揮発性メモリの総称であり、NOR型とNAND型が存在する。

NAND型フラッシュメモリは、電源がなくても記憶を保持できる半導体メモリーの一種。

NAND型フラッシュメモリは、書き込み及び読み込みを高速に行うためにページ単位で実行される。

USBメモリやデジタルカメラのメモリカード、携帯電話、スマートフォンなどの記憶装置として幅広く使用されている。