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平成18年度秋季問題

問題16

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア 紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
イ データを早く読み出せるので、キャッシュメモリとしてよく用いられる。
ウ 不揮発性メモリの一種であり、電気的に全部又は一部を消して内容を書き直せるメモリである。
エ リフレッシュ動作が必要なメモリであり、主記憶に広く使われる。

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア 紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
イ データを早く読み出せるので、キャッシュメモリとしてよく用いられる。
ウ 不揮発性メモリの一種であり、電気的に全部又は一部を消して内容を書き直せるメモリである。
エ リフレッシュ動作が必要なメモリであり、主記憶に広く使われる。

解答：ウ

＜解説＞

フラッシュメモリは、データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない(不揮発性)半導体メモリの一種である。USBメモリやSDメモリなどに使用されている。

ア × EPROM に関する説明である。
イ × SRAMに関する説明である。
ウ ○ フラッシュメモリに関する説明である。
エ × DRAM に関する説明である。