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平成22年度春季問題
問題24
フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。
| ア | 1回だけ電気的に書込みができる。 | 
| イ | 一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。 | 
| ウ | 書込み,消去とも電気的に行い,一括又はブロック単位で消去する。 | 
| エ | 書込みは電気的に行い,消去は紫外線によって行う。 | 
フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。
| ア | 1回だけ電気的に書込みができる。 | 
| イ | 一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。 | 
| ウ | 書込み,消去とも電気的に行い,一括又はブロック単位で消去する。 | 
| エ | 書込みは電気的に行い,消去は紫外線によって行う。 | 
解答:ウ
<解説>
フラッシュメモリとは、データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない(不揮発性)半導体メモリの一種である。
| ア | × | PROM(Programmable Read Only Memory) に関する説明である。 | 
| イ | × | DRAM(Dynamic Random Access Memory)に関する説明である。 | 
          
| ウ | ○ | フラッシュメモリ | 
| エ | × | EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)に関する説明である。 | 
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