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平成30年度秋季問題

問題22

マイクロプロセッサの耐タンパ性を向上させる手法として、適切なものはどれか。

ア ESD(Electrostatic Discharge)に対する耐性を強化する。
イ チップ検査終了後に検査用パッドを残しておく。
ウ チップ内部を物理的に解析しようとすると、内部回路が破壊されるようにする。
エ 内部メモリの物理アドレスを整然と配置する。

マイクロプロセッサの耐タンパ性を向上させる手法として、適切なものはどれか。

ア ESD(Electrostatic Discharge)に対する耐性を強化する。
イ チップ検査終了後に検査用パッドを残しておく。
ウ チップ内部を物理的に解析しようとすると、内部回路が破壊されるようにする。
エ 内部メモリの物理アドレスを整然と配置する。

解答：ウ

＜解説＞

物理的あるいは論理的に内部の情報を読み取られることに対する耐性のこと。

耐タンパ性が高いほど、セキュリティ水準が高いことを示す。

ア ESD(Electrostatic Discharge)とは、ESD( Electrostatic Discharge：静電気放電)とは異極性の電荷が帯電した物質が近接・接触したときに生じる電荷の放電のことなので、耐タンパ性とは関係がない。
イ チップ検査終了後に検査用パッドを残しておくことで、そこをバックドアとして侵入される可能性がある。
ウ チップ内部を物理的に解析しようとすると、内部回路が破壊されるようにすることで内容を読み取れない状態にすることができる。したがって、耐タンパ性を向上させる。
エ 内部メモリの物理アドレスを整然と配置することは耐タンパ性と関係がない。

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